Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium
99%
- รหัสสินค้า: 54410
CAS:
352535-01-4
| น้ำหนักโมเลกุล: | 410.9 g./mol | Molecular Formula: | C₁₂H₃₂HfN₄ |
|---|---|---|---|
| EC Number: | MDL Number: | MFCD03427130 | |
| Melting Point: | -50℃ | Boiling Point: | 79℃0.1 mm Hg(lit.) |
| Density: | 1.324 g/mL at 25℃(lit.) | Storage Condition: | 2-8℃ |
รายละเอียดสินค้า:
ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการสะสมชั้นอะตอม (Atomic Layer Deposition: ALD) สำหรับการผลิตฟิล์มบางของฮาฟเนียมออกไซด์ (HfO2) ซึ่งเป็นวัสดุไดอิเล็กทริกที่มีประสิทธิภาพสูงในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เช่น ทรานซิสเตอร์และหน่วยความจำ เนื่องจากมีค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูงและความหนาที่สามารถควบคุมได้อย่างแม่นยำ นอกจากนี้ยังใช้ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์และลดการใช้พลังงาน
ขนาด / Availability / ราคา:
| ขนาด (g) | Availability | ราคา | จำนวน |
|---|---|---|---|
| 5.000 | 10-20 days | ฿10,854.00 |
+
-
|
Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium
ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการสะสมชั้นอะตอม (Atomic Layer Deposition: ALD) สำหรับการผลิตฟิล์มบางของฮาฟเนียมออกไซด์ (HfO2) ซึ่งเป็นวัสดุไดอิเล็กทริกที่มีประสิทธิภาพสูงในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เช่น ทรานซิสเตอร์และหน่วยความจำ เนื่องจากมีค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูงและความหนาที่สามารถควบคุมได้อย่างแม่นยำ นอกจากนี้ยังใช้ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์และลดการใช้พลังงาน
| Mechanism | - |
| Appearance | - |
| Longevity | - |
| Strength | - |
| Storage | - |
| Shelf Life | - |
| Allergen(s) | - |
| Dosage (Range) | - |
| Recommended Dosage | - |
| Dosage (Per Day) | - |
| Recommended Dosage (Per Day) | - |
| Mix Method | - |
| Heat Resistance | - |
| Stable in pH range | - |
| Solubility | - |
| Product Types | - |
| INCI | - |
ตะกร้า
ไม่มีสินค้า
Subtotal:
฿0.00
฿0.00
รวมทั้งสิ้น :