ใช้ Buffered Oxide Etchant (BOE) เป็นหลักในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์และไมโครแฟบริเคชัน โดยคัดเลือกการกำจัดชั้นซิลิคอนไดออกไซด์ (SiO₂) โดยไม่ทำลายซิลิคอนด้านล่างอย่างมีนัยสำคัญ มักใช้ในขั้นตอนโฟโตลิโธกราฟีเพื่อกัดฟิล์มออกไซด์ สร้างโครงสร้างแยกอุปกรณ์ และกำหนดส่วนประกอบคาปาซิเตอร์หรือทรานซิสเตอร์ การบัฟเฟอร์ ซึ่งปกติจากแอมโมเนียมฟลูออไรด์ ช่วยเสถียรอัตราการกัดและปรับปรุงความสม่ำเสมอ ทำให้เหมาะสำหรับการสร้างลวดลายความแม่นยำ BOE ยังใช้ในการผลิต MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) และการกัดแก้ว เนื่องจากมีลักษณะการกัดที่ควบคุมได้และแอนไอโซโทรอปิก ต้องระมัดระวังด้านความปลอดภัยเพราะมีกรดไฮโดรฟลูออริก ซึ่งกัดกร่อนสูงและเป็นพิษ