ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) สำหรับการสะสมฟิล์มบางที่มีส่วนประกอบของแกลเลียม โดยเฉพาะในการผลิต gallium nitride (GaN) และเซมิคอนดักเตอร์ไนไตรด์กลุ่ม III ที่เกี่ยวข้อง วัสดุเหล่านี้มีความสำคัญในอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ เช่น ไดโอดเปล่งแสง (LEDs), ไดโอดเลเซอร์, และทรานซิสเตอร์กำลังสูง ความผันผวนสูงและความเสถียรทางความร้อนทำให้เหมาะสำหรับการสะสมที่แม่นยำและควบคุมได้ที่อุณหภูมิปานกลาง ส่งผลให้เกิดชั้นคริสตัลบริสุทธิ์สูงที่จำเป็นสำหรับประสิทธิภาพของอุปกรณ์ นอกจากนี้ยังมีการสำรวจในงานวิจัยสำหรับวัสดุอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูงและการประยุกต์ใช้ในนาโนเทคโนโลยี