ใช้ในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์เป็นวัสดุกึ่งตัวนำสำหรับอุปกรณ์ความถี่สูงและอุปกรณ์ออพติคัล เช่น ไดโอดเปล่งแสงอินฟราเรด (LEDs), เลเซอร์ไดโอด, และโฟโต้ดีเทคเตอร์ เนื่องจากมีคุณสมบัติการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนสูงและช่องพลังงานทางอ้อมที่กว้าง ยังใช้ในทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เฮเทอโรจังก์ชัน (HBTs) และวงจรรวมที่ต้องการประสิทธิภาพความเร็วสูง ความเข้ากันได้กับระบบเซมิคอนดักเตอร์กลุ่ม III-V ช่วยให้รวมเข้าในส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์และโฟโตนิกส์ขั้นสูง โดยเฉพาะในเทคโนโลยีโทรคมนาคมและอวกาศ นอกจากนี้ยังใช้ในงานวิจัยเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดหลายชั้นเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการแปลงพลังงานแสงเป็นไฟฟ้า