ใช้ในอิเล็กทรอนิกส์อินทรีย์เนื่องจากคุณสมบัติเซมิคอนดักเตอร์ โดยเฉพาะในการพัฒนาทรานซิสเตอร์สนามอิเล็กทรอนิกส์อินทรีย์ (OFETs) ความสามารถในการก่อตัวเป็นฟิล์มบางที่เสถียรทำให้เหมาะสำหรับใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ยืดหยุ่นและเบา นอกจากนี้ยังมีการศึกษาศักยภาพในแอปพลิเคชันโฟโตโวลตาอิก ซึ่งสามารถช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์อินทรีย์ นอกจากนี้ คุณสมบัติการเรืองแสงถูกสำรวจในอุปกรณ์โอปโตอิเล็กทรอนิกส์และเซ็นเซอร์