ใช้ในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูงในฐานะสารตั้งต้นที่อุดมด้วยไนโตรเจนสำหรับการสะสมฟิล์มซิลิคอนไนไตรด์ที่อุณหภูมิต่ำ ความไวต่อปฏิกิริยาสูงช่วยให้เกิดการก่อตัวฟิล์มบางที่มีประสิทธิภาพในไมโครอิเล็กทรอนิกส์ โดยเฉพาะในไดอิเล็กทริกเกตและกำแพงกั้นการแพร่กระจาย นอกจากนี้ยังมีการวิจัยสำหรับการใช้ในโพลิเมอร์พิเศษและวัสดุพลังงานสูง เนื่องจากความเสถียรทางความร้อนและความสามารถในการปล่อยก๊าซไนโตรเจนเมื่อสลายตัว