ใช้ในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง โดยเฉพาะอย่างยิ่งในโฟโตลิโธกราฟีสำหรับการสร้างลวดลายความละเอียดสูง ทำหน้าที่เป็นส่วนประกอบหลักในสูตรของโฟโตเรซิสต์ เพิ่มความไวและความละเอียดภายใต้แสงอัลตราไวโอเลตสุดขีด (EUV) ทำให้สามารถผลิตคุณสมบัติทรานซิสเตอร์ขนาดเล็กลงในวงจรรวมขั้นสูง สนับสนุนการพัฒนาไมโครโปรเซสเซอร์และชิปหน่วยความจำรุ่นถัดไป นอกจากนี้ยังถูกศึกษาสำหรับการใช้ในวัสดุไดอิเล็กทริก low-k เพื่อลดความจุและความล่าช้าของสัญญาณในโครงสร้างเชื่อมต่อหลายชั้น