Bis(1,1,1,2,2,3,3-heptafluoro-7,7-dimethyloctane-4,6-dionato)strontium(II)

95%

Reagent รหัส: #129366
fingerprint
หมายเลข CAS 125009-58-7

science รีเอเจนต์อื่นที่มี CAS เดียวกัน 125009-58-7

blur_circular ข้อมูลจำเพาะทางเคมี

scatter_plot ข้อมูลโมเลกุล
น้ำหนัก 677.97 g/mol
สูตร C₂₀H₂₀F₁₄O₄Sr
badge หมายเลขทะเบียน
MDL Number MFCD00150885
inventory_2 การจัดเก็บและการจัดการ
พื้นที่จัดเก็บ Room temperature, seal, inert gas

description รายละเอียดสินค้า

ใช้เป็นตัวตั้งต้นในการสังเคราะห์ฟิล์มบางที่มีสตรอนเทียมผ่านกระบวนการ chemical vapor deposition (CVD) หรือ atomic layer deposition (ALD) ฟิล์มเหล่านี้ใช้ในวัสดุอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง รวมถึงไดอิเล็กทริกและอุปกรณ์เฟอร์โรอิเล็กทริก คุณสมบัติการระเหยสูงและความเสถียรทางความร้อนทำให้เหมาะสำหรับกระบวนการ deposition ที่แม่นยำสูงในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ นอกจากนี้ ยังมีการสำรวจในการเตรียม metal-organic frameworks ที่ fluorinated พิเศษสำหรับการใช้งานทาง catalysis โดยเฉพาะในงานวิจัยวัสดุฟังก์ชันพิเศษ เช่น เซรามิกส์ที่มีคุณสมบัติไฟฟ้าพิเศษอย่างไดอิเล็กทริกหรือพีโซอิเล็กทริก ซึ่งเหมาะสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง เช่น ตัวเก็บประจุประสิทธิภาพสูงหรือเซ็นเซอร์ความดัน

shopping_cart ขนาดและราคาที่มีจำหน่าย

ปริมาณ Availability ราคาต่อหน่วย จำนวน
inventory 1g
10-20 days ฿14,290.00

ตะกร้า

ไม่มีสินค้า

Subtotal: 0.00
รวมทั้งสิ้น 0.00 THB
Bis(1,1,1,2,2,3,3-heptafluoro-7,7-dimethyloctane-4,6-dionato)strontium(II)
No image available

ใช้เป็นตัวตั้งต้นในการสังเคราะห์ฟิล์มบางที่มีสตรอนเทียมผ่านกระบวนการ chemical vapor deposition (CVD) หรือ atomic layer deposition (ALD) ฟิล์มเหล่านี้ใช้ในวัสดุอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง รวมถึงไดอิเล็กทริกและอุปกรณ์เฟอร์โรอิเล็กทริก คุณสมบัติการระเหยสูงและความเสถียรทางความร้อนทำให้เหมาะสำหรับกระบวนการ deposition ที่แม่นยำสูงในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ นอกจากนี้ ยังมีการสำรวจในการเตรียม metal-organic frameworks ที่ fluorinated พิเศษสำหรับการใช้งานทาง catalysis โดยเฉพาะในงานวิจัยวัสดุฟังก์ชันพิเศษ เช่น เซรามิกส์

ใช้เป็นตัวตั้งต้นในการสังเคราะห์ฟิล์มบางที่มีสตรอนเทียมผ่านกระบวนการ chemical vapor deposition (CVD) หรือ atomic layer deposition (ALD) ฟิล์มเหล่านี้ใช้ในวัสดุอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง รวมถึงไดอิเล็กทริกและอุปกรณ์เฟอร์โรอิเล็กทริก คุณสมบัติการระเหยสูงและความเสถียรทางความร้อนทำให้เหมาะสำหรับกระบวนการ deposition ที่แม่นยำสูงในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ นอกจากนี้ ยังมีการสำรวจในการเตรียม metal-organic frameworks ที่ fluorinated พิเศษสำหรับการใช้งานทาง catalysis โดยเฉพาะในงานวิจัยวัสดุฟังก์ชันพิเศษ เช่น เซรามิกส์ที่มีคุณสมบัติไฟฟ้าพิเศษอย่างไดอิเล็กทริกหรือพีโซอิเล็กทริก ซึ่งเหมาะสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง เช่น ตัวเก็บประจุประสิทธิภาพสูงหรือเซ็นเซอร์ความดัน

Mechanism -
Appearance -
Longevity -
Strength -
Storage -
Shelf Life -
Allergen(s) -
Dosage (Range) -
Dosage (Per Day) -
Mix Method -
Heat Resistance -
Stable in pH range -
Solubility -
Product Types -
INCI -

Purchase History for

Loading purchase history...