ใช้เป็นสารตั้งต้นในการสังเคราะห์ฟิล์มบางแบบเคลือบด้วยกระบวนการ CVD หรือ ALD เพื่อสร้างชั้นของเทนทาลัมไนไตรด์ (TaN) หรือเทนทาลัมคาร์ไบด์ (TaC) บนแผ่นเวเฟอร์ในอุตสาหกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์ โดยเฉพาะในชิปหน่วยความจำและทรานซิสเตอร์ขั้นสูง ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการนำไฟฟ้าและป้องกันการแพร่ของโลหะในโครงสร้างวงจร นิยมใช้ในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ระดับนาโนเนื่องจากสามารถควบคุมความหนาของฟิล์มได้อย่างแม่นยำและให้ผลลัพธ์ที่สม่ำเสมอ